深圳市汇芯通信技术有限公司首席架构师樊永辉:在5G进程中提升中国中高频器件能力

崔亮亮

中高频器件，即应用于5G中频（Sub-6GHz）和高频（毫米波 mmWave）频段的射频器件。中高频核心器件是实现5G通信与网络的核心与关键之一，《国家制造业创新中心建设领域总体布局（2018年新增）》中明确列入5G中高频器件。但此类器件技术目前被国外掌控，对我国5G产业发展形成制约瓶颈。

11月6日，在2019中国5G终端创新峰会暨第七届中国手机设计大赛天鹅奖颁奖礼上，深圳市汇芯通信技术有限公司首席架构师樊永辉表示，未来通信高端器件创新中心将紧扣5G中高频核心器件设计、制造、测试和应用等各环节关键技术，以器件设计为核心，垂直应用为引擎，整合产业链优势资源，弥补通信产业链缺失环节，打破国外技术壁垒，实现中高频核心器件前沿和共性技术研发供给、转移扩散和首次商用化，为我国争夺未来通信技术国际制高点提供有力支撑。

我国5G产业发展已走在世界前列，但在整体产业链布局方面，我国企业主要处于产业链的中下游。在产业链上游，尤其是中高频芯片和器件等核心环节，技术和产业发展水平远远落后于国外。

樊永辉表示，一是关键核心技术缺失。在化合物半导体材料等基础领域技术落后、产能不足。缺乏先进成熟的半导体制造工艺，整体落后世界先进水平两代以上。高端芯片设计方面差距较大。此外还面临国外在相关领域中严密的专利布局和技术封锁。

二是产业上下游协同不足。缺乏长期有效的协同合作机制，器件企业与整机设备企业间未形成密切合作、互利共赢的生态体系。芯片和器件研发生产投入大，没有整机设备企业的支持，很难市场化。

为此，创新中心确定了，新型半導体材料及工艺共性关键技术和产业化;基站用中高频功率放大器、滤波器、阵列天线等核心器件产业化关键技术;面向射频前端、硅基毫米波集成芯片设计关键技术三大主要研发方向。

到2020年创新中心将实现中高频器件的国产化，解决有无问题。2023年到2026年，实现全产业链关键环节能力的创新。2027年以后，实现全产业链技术，工艺能力国际领先，并逐步扩展到其他器件领域。

为了更好地推动产业链的整体协同，5G创新中心采用“公司+联盟+基金”三轮驱动的运作机制， 依托5G创新中心的平台，成立了5G产业技术联盟。

联盟将为加强5G中高频器件产业前沿和共性关键技术研发、促进5G通信领域技术转移扩散和首次商业化应用、加强5G通信领域内创新人才队伍建设起到积极作用。

未来，樊永辉表示，5G通信将带动射频前端市场高速发展。中高频射频器件是5G通信的核心，5G的发展将进一步推动中高频器件的技术进步，总的趋势就是小型化、模块化和更高的频率与集成化。