时间:2024-07-28
王雅珍,孟 爽,肖添远,王凤超,祖立武,兰天宇
(1.齐齐哈尔大学材料科学与工程学院,黑龙江 齐齐哈尔 161006;2.齐齐哈尔大学化学与化学工程学院,黑龙江 齐齐哈尔 161006)
苯乙烯在改性氧化石墨烯表面的接枝聚合
王雅珍1,孟 爽2*,肖添远1,王凤超2,祖立武1,兰天宇1
(1.齐齐哈尔大学材料科学与工程学院,黑龙江 齐齐哈尔161006;2.齐齐哈尔大学化学与化学工程学院,黑龙江 齐齐哈尔161006)
采用硅烷偶联剂γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)对氧化石墨烯(GO)进行有机改性,得到了改性氧化石墨烯(GO-KH570),然后在GO-KH570表面接枝苯乙烯(St),制备了一种表面接枝聚苯乙烯(PS)的阻燃剂(GO-KH570)-g-PS。采用傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱、热失重分析仪和扫描电子显微镜对GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS进行了测试表征。结果表明,成功合成了接枝率为20.37%的(GO-KH570)-g-PS。
氧化石墨烯;γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷;聚苯乙烯
具有片层状结构的GO是石墨的衍生物,由石墨强氧化后得到。干燥后的GO在高温下快速升温时,150 ℃以上会分解放出CO、CO2和O2,200 ℃时会形成碳层,在材料表面起到隔离O2和可燃气体的作用。因此,GO可作为阻燃剂添加到聚合物中,以提高聚合物的阻燃性能。但GO属于无机物,与聚合物的相容性较差,结合力不够,会影响其阻燃效果及材料的力学性能。徐加艳等[1]将聚乙烯醇(PVA)嵌入到GO片层间制备纳米GO复合材料,结果表明复合材料的分解温度比纯PVA提高了100 ℃,并且GO有助于PVA表面残炭的生成,减缓了材料的分解速率,提高了材料的不可燃焦化残余量。李松荣等[2]用硅烷偶联剂对GO进行改性,并将其应用于环氧树脂中,添加改性GO的复合材料的力学性能有所提升。前人的研究大多采用插层聚合或仅进行一次改性,就将GO加以应用。
本文采用硅烷偶联剂KH570对GO进行有机改性,得到改性氧化石墨烯GO-KH570,然后在GO-KH570表面接枝St,制备了(GO-KH570)-g-PS阻燃剂,合成过程中GO共经历2次改性,使其有机化程度明显提高。
天然鳞片石墨(NG),分析纯,纯度为99.9%,青岛岩海碳材料有限公司;
浓硫酸(H2SO4)、甲苯、冰乙酸、盐酸(HCl),分析纯,天津市鑫宇精细化工有限公司;
过硫酸钾(K2S2O8),分析纯,天津市凯通化学试剂有限公司;
五氧化二磷(P2O5),分析纯,天津市科密欧化学试剂有限公司;
高锰酸钾(KMnO4),分析纯,哈尔滨试剂化工厂;
双氧水(H2O2),分析纯,天津市致远化学试剂有限公司;
γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷,分析纯,纯度为97%,山东优索化工科技有限公司;
无水乙醇,分析纯,天津市天力化学试剂有限公司;
St,分析纯,天津市大茂化学试剂厂;
过氧化苯甲酰(BPO),化学纯,天津市科密欧化学试剂有限公司。
超声细胞粉碎机,JY92-11DN,宁波新芝生物科技股份有限公司;
冷冻干燥机,LGJ-10D,北京四环科学仪器厂有限公司;
高速离心机,TGL-16G,江苏金坛市中大仪器厂;
傅里叶变换红外光谱仪(FTIR),JASCOFT/IR-4200,日本佳司科公司;
X射线光电子能谱(XPS),ESCALAB250Xi,美国Thermo公司;
热失重分析仪(TG),STA449C,德国Netzsch仪器制造有限公司;
扫描电子显微镜(SEM),S-3400,日本日立公司。
GO的制备:采用改进Hummers法[3]制备GO;
GO-KH570的制备:将制得的GO加入去离子水中,超声分散1h,磁力搅拌3h,制得GO含量为2mg/mL的GO/H2O分散液,待用;向60mL的无水乙醇中加入1mL的KH570,搅拌10min,使KH570充分溶解于无水乙醇中;量取20mL的GO/H2O分散液加入含有KH570的乙醇溶液中超声分散10min;将混合液加入装有冷凝器的250mL三口烧瓶中,将三口烧瓶放入恒温磁力搅拌加热器中搅拌10min;用冰乙酸调节反应体系的pH值在4~5之间,加热至50℃,恒温搅拌3h;升温至70℃,恒温搅拌3h;停止加热,待反应体系冷却至室温,使用高速离心机将反应产物与溶剂分离,用无水乙醇洗涤反应产物,反复离心、洗涤4次以除去未反应的KH570;45℃下真空干燥48h,得到GO-KH570;
(GO-KH570)-g-PS的制备:分别量取50mL的无水乙醇和5mL的St,将St加入到无水乙醇中搅拌10min,使St充分溶解于无水乙醇中;称取0.5g制得的GO-KH570加入到含有St的乙醇溶液中,超声分散10min;再称取0.1gBPO加入混合溶液中,将混合溶液加入装有冷凝器的250mL三口烧瓶中,水浴加热至50℃,搅拌10min,使BPO完全溶解;待BPO完全溶解后,升温至80℃,恒温搅拌6h;停止加热,待反应体系冷却至室温,使用高速离心机将反应产物与溶剂分离,用甲苯洗涤反应产物,反复离心、洗涤4次以除去均聚生成的PS;45℃下真空干燥48h,得到(GO-KH570)-g-PS。
FTIR分析:分别称取适量的GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS样品,在红外灯下与溴化钾研磨混合均匀,压片制样,用FTIR测试,扫描范围为4000~500cm-1,扫描次数为3次;
XPS分析:称取少量待测样品,将其制成薄片,用导电胶将待测样品粘到待测底座上,放入进药室并抽真空,再将其放入进样室,真空度设为0.7~0.9kPa,选用单色器A1靶作为发射源,对样品进行测试;
TG分析:取约5mg样品,高纯氮气气氛下,升温速率为10℃/min,温度范围为0~800℃,对比GO、GO-KH570、(GO-KH570)-g-PS的高温稳定性;
SEM分析:分别称取适量GO、GO-KH570、(GO-KH570)-g-PS样品,进行SEM测试,加速电压为20.0kV;
(GO-KH570)-g-PS接枝率的计算:根据GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的TG曲线在800℃时的质量损失率(B和C),用式(1)计算(GO-KH570)-g-PS的接枝率(G)。
G=B-C
(1)
式中G——(GO-KH570)-g-PS的接枝率, %
B——GO-KH570的质量损失率, %
C——(GO-KH570)-g-PS的质量损失率, %
(a)GO (b)GO-KH570 (c)(GO-KH570)-g-PS图2 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的XPS测试C1s分峰拟合曲线Fig.2 C1s peak fitting curves of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS XPS tests
从图1可以看出,GO-KH570中3451cm-1处的羟基伸缩振动峰较GO明显减小,同时在1036cm-1处出现C—O—Si键[4]的伸缩振动峰,可知GO和KH570发生了缩合反应,且GO-KH570中位于1621cm-1处的C=C键伸缩振动峰较GO明显增加,表明KH570已经成功对GO改性;并且(GO-KH570)-g-PS中出现了1450cm-1和1496cm-1处的苯环骨架振动峰,表明PS已经成功接枝到GO-KH570上。
1—GO 2—GO-KH570 3—(GO-KH570)-g-PS图1 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的FTIR谱图Fig.1 FTIR spectra of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS
对比表1中各原子的含量可以看出,GO-KH570中出现了含量为6.33%的新原子Si,这是由于KH570对GO改性的结果导致的,随着反应体系温度的升高,GO中的含氧基团有一部分被还原导致O原子的含量降低;(GO-KH570)-g-PS中的Si原子含量较GO-KH570有所减少,这是由于在洗涤过程中洗掉了未发生反应的KH570,由于反应温度进一步升高,导致含氧基团继续被还原,因此O原子的含量进一步减少。
表1 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS中的原子含量 %
对GO的XPS测试数据C1s分峰拟合后,284.52、284.80、286.64、286.87、288.09 eV分别归属于C=C、C—C、C—OH、C—O、C=O键;对GO-KH570的XPS测试数据C1s分峰拟合后,284.19、284.62、285.03、286.07、286.82、288.70 eV分别归属于C—Si、C=C、C—C、C—OH、C—O、C=O键;对(GO-KH570)-g-PS的XPS测试数据C1s分峰拟合后,284.16、284.60、285.01、286.05、286.83、288.55 eV分别归属于C—Si、C=C、C—C、C—OH、C—O、C=O键。对比发现,GO-KH570的C1s分峰拟合曲线中,在284.30 eV处出现了一个新的化学键C—Si,而且GO-KH570中C—OH的含量较GO中的C—OH含量明显减少,C=C含量明显增加,这是由于水解后KH570中的羟基和GO中的羟基反应使其含量减少,而KH570中又含有C—Si和C=C,因此会出现C—Si和C=C含量的增加。进一步验证了已经成功用KH570对GO进行了有机改性。在GO-KH570表面接枝St后形成了PS长链,使(GO-KH570)-g-PS中C=C的含量较GO-KH570中的明显减少,C—C键含量增加,因此进一步证明PS成功在GO表面接枝聚合。
根据FTIR和XPS测试分析结果,推测出如图3的反应机理。
(a)KH570水解 (b)KH570改性GO (c)GO-KH570接枝PS图3 (GO-KH570)-g-PS的反应机理Fig.3 Reaction mechanism conjecture of (GO-KH570)-g-PS
1—GO 2—GO-KH570 3—(GO-KH570)-g-PS图4 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的TG曲线Fig.4 TG curves of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS
从图4中可以看出,180℃以下3种物质都分解一小部分,这是其因失水而导致的失重由于它们吸收空气中的水分解而导致的。其中GO的质量损失率最大,这是由于GO表面含有大量的羟基,羟基属于亲水基团,使GO吸收的水分较多,因此GO在该温度下失重较多;而GO-KH570和PS-g-(GO-KH570)在该温度下质量损失率明显减小,这是因为在改性过程中,GO中的羟基已经与KH570发生化学反应而使其羟基含量大大减少,从而导致其因失水而产生的失重减小。在180℃左右,由于GO和GO-KH570中含有大量的含氧基团(羟基、羧基和环氧基团)开始分解[2],导致它们分别产生了23.19%和14.02%的失重;而GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的二次分解温度与GO的二次分解温度相差不大,但质量损失率明显降低,根据表1中原子含量对比可知在KH570改性GO过程中,使GO表面含氧基团所占的百分数减少,同时接枝PS反应温度为80℃,接枝后GO中的含氧基团被还原,也会导致含氧量进一步减少,使质量损失率降低。在350℃左右GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS继续分解,这是由于经过改性后形成的C—O—Si键分解所致,对比2条曲线会发现,(GO-KH570)-g-PS的质量损失率比GO-KH570的大,这是由于接枝到GO-KH570表面的PS长链在330~380℃会出现热分解。再次验证了KH570成功对GO进行有机改性,并将PS成功接枝到GO-KH570上。根据式(1)计算(GO-KH570)-g-PS的接枝率,为20.37%。
从图5(a)、5(b)中可以看出,GO具有片层结构,每个片层的表面比较光滑且层间距较大,这是由于GO中含有大量的含氧基团其分子间具有静电斥力,导致层间距增大;从图5(c)可以看出,经过KH570改性后的GO层间距明显减小,且表面较改性之前粗糙,这是由于KH570和GO中的羟基反应使含氧基团减少,分子间的静电斥力减小导致其层间距减小;从图5(d)中可以看出,片层表面变光滑且表面和片层间有球状物,这是由于经过改性后的GO-KH570表面接枝的St分子会继续和未发生接枝反应的St分子发生聚合,在接枝端形成长链PS,球状物即为PS。可进一步证明已成功用KH570对GO进行了有机改性,并接枝上PS。
样品,放大倍率:(a)GO,×100 (b)GO,×5000 (c)GO-KH570,×5000 (d)(GO-KH570)-g-PS,×5000图5 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的SEM照片Fig.5 SEM of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS
(1)初步确定水解后的KH570和GO间缩合形成C—O—Si键,成功用KH570对GO进行了有机改性,并在其表面成功接枝上PS,使GO的有机化程度进一步提高;
(2)由于对GO进行有机改性并接枝上PS,使GO基体的层间距明显减小且表面被PS所覆盖,使(GO-KH570)-g-PS的质量损失率明显增加,(GO-KH570)-g-PS的接枝率为20.37%。
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GraftingPolymerizationofStyreneonSurfaceofModifiedGrapheneOxide
WANG Yazhen1, MENG Shuang2*, XIAO Tianyuan1,WANG Fengchao2, ZU Liwu1, LAN Tianyu1
(1.College of Materials Science and Engineering, Qiqihar University, Qiqihar 161006, China;2.College of Chemical and Chemical Engineering, Qiqihar University, Qiqihar 161006, China)
In this work, graphene oxide(GO) was surface modified by silane coupling agent γ-methacryloxy propyl trimethoxyl silane, and then styrene was grafted onto the surface of the surface-modified GO for the purpose of flame retardancy. The resultant (GO-KH570)-g-polystyrene (PS) was characterized by Fourier-transform infrared spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, thermogravimetric analysis and scanning electron microscopy. The results indicated that (GO-KH570)-g-PS was successfully prepared.
graphene oxide; γ-methacryloxy propyl trimethoxyl silane; polystyrene
国家自然科学基金项目(21376127、U1162123);齐齐哈尔市科技局面上项目(GYGG-201210)
TQ325.2
B
1001-9278(2017)09-0081-05
10.19491/j.issn.1001-9278.2017.09.012
2017-06-12
*联系人,441034888@qq.com
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